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本申请公开了一种提高籽晶清洁度的处理方法及装置,属于半导体材料清洁技术领域。该装置包括:壳体,壳体侧壁沿所述壳体的轴向设置多个籽晶入口,所述壳体的顶部或底部设置进气口,靠近每个所述籽晶入口的壳体侧壁上均对应设置至少一个出气口,所述出气口与所述进气口位于所述籽晶入口的同侧;和籽晶托盘,所述籽晶托盘插接于所述籽晶入口,以使得所述籽晶与所述进气口侧壳体围成气体清洁室,清洁气体由所述进气口吹入所述气体清洁室,并流动至最靠近所述进气口的籽晶表面后经所述出气口流出。使用该装置可有效去除籽晶表面吸附的残留颗粒
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113492139 B
(45)授权公告日 2022.07.08
(21)申请号 202110749772.5 B08B 7/00 (2006.01)
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