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一种基于二维层状半导体材料的范德华异质结偏振光探测器及其制备方法.pdfVIP

一种基于二维层状半导体材料的范德华异质结偏振光探测器及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法。该偏振光探测器自下而上依次为绝缘衬底、两种二维层状半导体构成的范德华异质结、金属电极。该偏振光探测器是通过机械剥离、聚乙烯醇(PVA)干法转移、光刻、蒸镀等技术制备。区别于传统材料结构偏振光探测器，该结构器件具有高二向色性比、自供电、快速响应等优异特性。此外，此种范德华异质结偏振光探测器结构简单、小型便携、操作方便，有益于新型高偏振分辨集成光学器件的开发。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437166 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202110716606.5 H01L 31/18 (2006.01)

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