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本发明公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法,设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构,微腔内部可抽真空和充气;在AlN生长初期,通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长,通过留有微弱气孔的粘接剂覆盖抑制初期SiC的侧向升华,AlN多晶隔离片逐渐背升华并沉积在SiC表面;多晶隔离片升华消失后,AlN源粉处升华得到的Al原子输运至生长表面;在AlN多晶隔离片和AlN粘接剂升华之后,在SiC籽晶上的AlN层覆盖,SiC侧面的AlN粘接剂升华离开坩埚区域,使得S
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113564697 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202110834372.4 (56)对比文件
(22)申请日 2021.07.22
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