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1+X集成电路理论复习题与参考答案 1、在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。 A、薄膜制备 B、光刻 C、刻蚀 D、金属化 答案：B 在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是光刻。 2、晶圆进行扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信息，确保三者的信息一致。 A、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单 B、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单 C、MAP图、软件版本、晶圆测试随件单 D、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单 答案：B 3、在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）。 A、外延 B、热氧化 C、PVD D、CVD 答案：A 外延是在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层。 4、重力式外观检查是在( )环节之前进行的。 A、编带 B、测试 C、分选 D、真空包装 答案：D 重力式分选机设备芯片检测工艺流程：上料→测试→分选→编带（SOP）→外观检查→真空包装。 5、使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度- 般控制在() A、38~50°C B、20~50°C C、20~30°C D、20~38°C 答案：A 一般抛光区的温度控制在38~50°C (粗抛)和20~30°C (精抛)。 6、在版图设计过程中，N-MOS管的源极接（），漏极接（），P-MOS管的源极接（），漏极接（）。 A、地、高电位、电源、低电位 B、地、高电位、GND、高电位 C、地、高电位、GND、低电位 D、电源、高电位、GND、低电位 答案：C 7、若遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是( )。 A、测试 B、上料 C、编带 D、外观检查 答案：C 转塔式分选机的操作步骤一般为：上料→测试→编带→外观检查→真空包装。 8、使用测编一体的转塔式分选设备进行芯片测试时，如果遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是（）。 A、外观检查 B、编带 C、测试 D、上料 答案：B 9、晶圆检测工艺中，在进行打点之前，需要进行的操作是( )。 A、外检 B、扎针调试 C、打点 D、扎针测试 答案：D 晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。 10、元器件的引线直径与印刷焊盘孔径应有（）的合理间隙。 A、0.1~0.4mm B、0.2~0.4mm C、0.1~0.3mm D、0.2~0.3mm 答案：B 11、芯片封装工艺中，下列选项中的工序均属于前段工艺的是（）。 A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字 B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边 C、晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合 D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边 答案：C 封装工艺流程中前段工艺包括晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接以及引线键合，后段工艺则包括塑封、激光打字、去飞边、电镀以及切筋成型。 12、晶向为111、8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度方向研磨出( )。 A、一个基准面 B、两个基准面且呈45度角 C、两个基准面且呈90度角 D、定位槽 答案：D 8英寸的晶圆直径为200mm，当硅片直径等于或大于200mm时，往往不再研磨基准面，而是沿着晶锭长度方向磨出一小沟作为定位槽。 13、封装工艺中，在完成芯片粘接后需要进行银浆固化，该环节在烘干箱中进行，一般在（）℃的环境下烘烤1小时。 A、150 B、200 C、225 D、175 答案：D 14、平移式分选机设备分选环节的流程是：( )。 A、分选→吸嘴吸取芯片→收料 B、吸嘴吸取芯片→分选→收料 C、吸嘴吸取芯片→收料→分选 D、分选→收料→吸嘴吸取芯片 答案：B 平移式分选机设备测试环节的流程是：吸嘴吸取芯片→分选→收料。 15、在用万用表测量晶体管、电解电容等有极性元件的等效电阻时，必须注意（）。 A、选择欧姆挡位 B、选择较大量程 C、注意两支笔的极性 D、以上都是 答案：C 16、晶圆进行扎针测试时，其操作步骤正确的是（）。 A、输入晶圆信息→测试→清零→检查扎针情况（有异常）→异常情况处理→继续测试→记录测试结果 B、输入晶圆信息→检查扎针情况（无异常）→测试→清零→继续测试→记录测试结果 C、输入晶圆信息→清零→测试→检查扎针情况（无异常）→继续测试→记录测试结果 D、输入晶圆信息→测试→检查扎针情况（有异常）→异常情况处理→清零→继续测试→记录测试结果 答案：C 17、下列说法错误的是（）。 A、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项，表示在单元下建立电路图视图 B、在电路编辑窗口中，利用图标栏可以快速建立、编辑电路图 C、在ca