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2023-06-26 发布于四川
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一种高密度硅纳米锥结构及其在检测小分子中的应用.pdf

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一种高密度硅纳米锥结构及其作为表面辅助激光解吸/电离质谱基底在检测小分子中的应用，属于质谱分析技术领域。基底是通过直接无掩模版反应离子刻蚀单晶硅，再利用低浓度的氟化氢水溶液剥离表面氧化层获得。由于高密度的锥状结构的独特形貌，使得空气和基底物质之间的折射率系数呈现缓慢的递变，从而提高基底的吸光率，有利于高效地解吸以及电离分子；同时，硅纳米结构锥的尖端结构会促进能量和热电子聚集在尖端位置，有效地提高基底的解吸电离能力；另外，疏水的基底具有的浓缩效应有利于进一步提高检测灵敏度。因此利用疏水的高密度硅纳

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113588770 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202110884302.X (56)对比文件 (22)申请日 2021.08.03

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