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本发明提供一种真空器件及其制备方法,方法包括:对SOI衬底图形化,形成包括径向尺寸最小处的纳米窄小结构;栅介质层包裹纳米窄小结构;进行氢气退火,使径向尺寸最小处断开,形成将顶半导体层分隔为阳极区和阴极区的断面结构,栅介质层与纳米窄小结构使断面结构形成密闭腔,形成真空器件。本发明通过设置纳米窄小结构并通过氢气退火形成断面结构,得到阴阳极间隔为纳米级的真空器件,以形成较大场强和导通电流;同时利用纳米悬梁结构实现控制能力更强的全环绕栅的真空器件;另外,配合设置纳米悬梁结构下的空腔仅设置在顶半导体层,进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344292 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202310326529.1
(22)申请日 2023.03.30
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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