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本发明提供了一种针对寄存器注错单粒子效应仿真的等效遍历故障注入方法，用于解决大规模集成电路寄存器单元的单粒子效应仿真中仿真时间消耗与仿真故障覆盖率存在矛盾的技术问题。本方法基于多寄存器单元故障注入模型，采用全部寄存器单元的遍历故障注入文件集合仿真的方式，最大程度地发现待测电路中单粒子效应引起故障的情况；再对非使能寄存器单元和使能寄存器单元的寄存器关联组对应的故障注入文件集合中的无效故障注入文件进行删减，空间维度筛查整个仿真周期非工作寄存器单元以及从时间维度筛查指定寄存器非工作时间，大幅缩减仿真的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116341432 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202310340693.8
(22)申请日 2023.03.31
(71)申请人 西安电子科技大学
地址 7100
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