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2023-06-29 发布于四川
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本发明公开了一种金属纳米线透明电极及其制备方法。该方法包括：通过在两块基底间置入隔膜形成狭缝空间，将金属纳米线分散液经填充口注入狭缝空间中，在干燥过程中金属纳米线均匀沉积在下基底上形成金属网格透明导电薄膜。本发明的金属纳米线浆料的利用率可大于95％，制备的金属纳米线网格透明电极的方块电阻在2～100Ω/sq，透光率为65～91％。本发明透明电极的制备工艺简单、原料利用率高、成本低、产品质量高，适合于大规模工业化制备刚性或柔性透明电极。所制备的金属纳米线透明电极可替代FTO、ITO导电基底，在太阳

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113689974 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202110815861.5 H01B 13/00 (2006.01) (22)申请日 2021.07

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