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本公开提供了一种高可靠性发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片的绝缘层上开设有延伸至N型电极的第一导电孔和延伸至P型电极的第二导电孔，焊点包括第一焊点和第二焊点。第一焊点位于第一导电孔内以及绝缘层表面，与对应的N型电极电连接，第二焊点位于第二导电孔内以及绝缘层表面，与对应的P型电极电连接，第一导电孔和第二导电孔均为锥形孔，且沿芯片的层叠方向，锥形孔的内径逐渐增大。采用该结构的发光二极管芯片，可以减少LED芯片制造过程中空腔的产生，提高发光二极管芯片的可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690357 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110728944.0
(22)申请日 2021.06.29
(71)申请人 华灿光电（浙江）有限公司
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