微型发光二极管外延片及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-29 发布于四川
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微型发光二极管外延片及其制造方法.pdf

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本公开提供了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型波导层、多量子阱层、P型波导层和电极接触层，所述发光二极管芯片还包括位于所述N型波导层和所述多量子阱层之间的调制层，所述调制层为掺氧和碳的氮化镓层。该外延片可以减小微型发光二极管中的缺陷和极化现象，提高芯片的发光效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690351 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110739045.0 (22)申请日 2021.06.30 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司