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一种SRAM-PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法.pdfVIP

一种SRAM-PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法.pdf

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    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SRAM‑PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法，该SRAM‑PUF单元结构包括：控制电路、反馈电路以及控制电路与反馈电路之间的开关电路，在控制电路的输入端输入第一控制信号，且控制开关电路导通时，反馈电路的两个输出端形成电压差；在控制电路的输入端维持该第一控制信号不变，且控制开关电路关断时，该电压差逐渐增大至预设差值，且在预设差值处稳定不变，进而不会因噪声影响而使得上电结果变化，提高了单元结构的可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113689907 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110820015.2 (22)申请日 2021.07.20 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

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