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2023-06-29 发布于四川
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本公开提供了一种防断裂发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。防断裂发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层、P型电极、绝缘层和保护层；P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上；绝缘层铺设在凹槽内和N型电极上，以及P型半导体层和P型电极上，保护层铺设在绝缘层上；防断裂发光二极管芯片还包括位于凹槽内的连接部，且连接部连接凹槽的槽底和凹槽的侧壁，连接部在N型半导体层上的正投影与N型电极在N型半导体层上的正

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690349 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110735484.4 (22)申请日 2021.06.30 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司

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