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本申请实施例提供一种晶圆的减薄方法，涉及半导体技术领域，用于解决SiC功率器件良率低、工艺复杂、制备成本高的问题。晶圆或者理解为复合衬底，包括层叠设置的第一碳化硅层、介质层以及第二碳化硅层。晶圆具有相对的第一侧和第二侧，第二碳化硅层远离第一碳化硅层的一侧为晶圆的第一侧。晶圆的减薄方法，包括：在第二侧将临时衬底载片与晶圆临时键合；从第一侧对晶圆进行激光照射，使激光的能量在第二碳化硅层与介质层的界面处进行聚焦烧蚀，使得第二碳化硅层与介质层分离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690183 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110764260.6
(22)申请日 2021.07.06
(71)申请人 华为
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