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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供基底，于基底内形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；于基底内形成字线沟槽，字线沟槽位于有源区部分的深度小于位于浅沟槽隔离结构部分的深度，以使字线沟槽位于有源区部分的底部形成第一凸起结构；于第一凸起结构的表面形成刻蚀保护层；去除部分浅沟槽隔离结构，以基于第一凸起结构形成第二凸起结构，第二凸起结构的上部侧壁及顶部覆盖有刻蚀保护层，第二凸起结构的下部被去除的部分浅沟槽隔离结构暴露出来；对第二凸起结构的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707600 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 20201

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