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存储器的形成方法及存储器.pdfVIP

存储器的形成方法及存储器.pdf

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    本发明实施方式提供一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有位线结构以及第一保护层；形成介质层填充相邻位线结构之间的间隙；形成第二保护层覆盖第一保护层顶部表面和介质层的顶部表面；在垂直于位线结构延伸的方向上，去除部分介质层以及部分第二保护层，形成电容接触孔，且在垂直于位线结构延伸的方向上，暴露出位于相邻电容接触孔之间的第一保护层；形成导电层填充电容接触孔并覆盖暴露出的第一保护层的顶部表面，且导电层顶部表面与第二保护层顶部表面齐平；刻蚀部分导电层形成分立的电容接触

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707611 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 20201

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