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本发明提供了一种湿法清洗工艺,包括:提供一衬底,所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面;执行SPM清洗工艺,用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的有机物和部分金属离子;执行SC1清洗工艺,去除所述衬底的第一表面和第二表面上的微粒及部分金属离子;执行SC2清洗工艺,用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的剩余金属离子;执行至少一次臭氧氧化工艺,用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的残留微粒;执行HF清洗工艺,用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的氧化层。通过在HF清洗工艺前的纯水槽中通入臭
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690130 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202111251459.5
(22)申请日 2021.10.27
(71)申请人 广州粤芯半导体技术有限公司
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