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本发明提供一种功率半导体装置及其制备方法，装置包括：第一导电类型的基底；第二导电类型的阱区，设置于基底的第一主面；沟槽栅结构，设置于基底的第一主面，贯穿阱区至基底中；第一导电类型的源极，设置于阱区内，且位于沟槽栅结构的侧面；第二导电类型的集电极，设置于基底的第二主面；第一导电类型的场截止层，设置于基底的第二主面，且位于集电极与基底之间；低寿命区，设置于基底的第二主面，且位于场截止层中靠近集电极的位置，低寿命区包含缺陷以降低少数载流子的寿命。本发明可有效降低器件的拖尾电流，进而降低器件的关断损耗，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113707706 A
(43)申请公布日
2021.11.26
(21)申请号 20201
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