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本发明公开了一种高能离子注入后光刻胶的去除方法,包括以下步骤:S1:在70‑120度的低温环境下注入O/F基的等离子体去除C富集的硬质层,或者注入O2‑N2‑H2混合等离子体激活C富集层;S2:注入N2等离子体对步骤S1处理后的表面进行共型性处理,使得PR边缘更加光滑,有利于离子注入的线宽控制;S3:利用湿法工艺去除PR本体。本发明与现有技术相比的优点是:本发明的方法是在低温70‑120度的环境下,采用了高气体压力、低射频功率的工艺参数,同时采取三步法的方法进行去胶。达到了PR不收缩、湿法后没有
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113703294 A
(43)申请公布日 2021.11.26
(21)申请号 202110835041.2
(22)申请日 2021.07.23
(71)申请人 上海稷以科技有限公司
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