一种基于二维材料CrPS4异质结的可见-近红外光电探测器构筑方法.pdfVIP

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2023-07-01 发布于四川
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一种基于二维材料CrPS4异质结的可见-近红外光电探测器构筑方法.pdf

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本发明提出一种基于二维材料CrPS4异质结的可见‑近红外光电探测器的构筑及其制备方法，红磷、金属铬粉、硫粉三种混合粉末放入石英管中并采用氩气密封，密封好的石英管放入双温区加热炉中生长二维材料，高温区温度为700‑800℃，低温区温度为600‑700℃，保温10天后，得到亮黑色的CrPS4。采用机械剥离的方法剥离二维材料CrPS4，叠层过渡族金属硫化物二硫化钼，形成CrPS4‑MoS2异质结，异质结具有良好的整流特性、快的响应速度以及可见‑近红外光电探测特性，可以在室温下使用，不需要冷却系统。Cr

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707752 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110841776.6 (22)申请日 2021.07.26 (71)申请人北京工业大学

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