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2023-07-01 发布于四川
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一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管以及显示装置.pdf

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本申请提供了一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管以及显示装置，其中薄膜晶体管包括依次层叠设置在衬底上的栅极、栅绝缘层和第一半导体层，薄膜晶体管还包括：刻蚀阻挡层，设置于第一半导体层上，刻蚀阻挡层上有源漏区；第二半导体层，设置于刻蚀阻挡层上，第二半导体层通过源漏区与第一半导体层接触；源漏极层，设置于第二半导体层上。本申请通过在第一半导体层上涂布光阻层并对光阻层进行图案化，再在第一半导体层上形成刻蚀阻挡层后将第一半导体层中的图案化的光阻层剥离，以使刻蚀阻挡层上形成源漏区，由于光阻层采用曝光显影方式即

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707556 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110929938.1 (22)申请日 2021.08.13 (71)申请人 TCL华星光电技术有限公司

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