一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法.pdfVIP

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2023-07-01 发布于四川
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一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法.pdf

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本发明公开了所述一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，包括：激光器发射激光，形成所述激光退火需要的光源；光学系统将所述激光器发射的激光整形聚焦成以下三种光束类型中的任意一种后，发射到晶圆表面。所述三种光束类型：圆形平顶光束、正方形平顶光束以及线形平顶光束；位移电动平台控制晶圆实现XY方向的交叉移动，发射到晶圆表面的激光光束能量被暴露在表面的金属区域吸收，使得金属区域温度升高，超过合金反应产生所需的阈值温度，合金反应产生并形成欧姆接触。与此同时，该能量密度对器件的其它区域没有损伤或其它不

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707546 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110937199.0 (22)申请日 2021.08.16 (71)申请人成都

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