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本发明公开一种平面绕组单元，包括：绝缘基材，绝缘基材包括导电区和非导电区；图案化的导电层，位于绝缘基材的导电区；以及绝缘填充层，位于绝缘基材的非导电区。本发明还公开了一种平面绕组单元的制作方法、平面绕组及平面电子器件。应用本发明技术方案的平面绕组单元及其制作方法、平面绕组及平面电子器件，由于绝缘填充层位于绝缘基材的非导电区，因而能够弥补图案化的导电层中的断差，提高了平面绕组中层结构的平整性，减少了平面电子器件中的气泡，避免了气泡对平面电子器件良率的影响，从而进一步提升平面电子器件的良率，有利于应
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113707424 A
(43)申请公布日 2021.11.26
(21)申请号 202110757417.2 H01F 41/12 (2006.01)
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