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2023-07-01 发布于四川
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一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法.pdf

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本发明属于半导体激光器端面镀膜技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法，包括如下步骤：1）对待镀膜的芯片进行Bar条解理，夹条，并快速放进蒸发镀膜设备内，抽真空；2）对芯片的出光腔面进行离子源预清洗处理；3）在芯片的出光腔面上镀高增透膜系，高增透膜系至少包括第一Al层和第一AlOX层；具体是先镀Al层，然后利用离子源通入O2进行氧化处理；4）对芯片的背光腔面进行离子源预清洗处理；5）在芯片的背光腔面上镀高反膜系，反膜系至少包括第二Al层和第二AlOX层；先镀Al层，然后利用离子源通入

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113699488 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110845340.4 C23C 14/58 (2006.01)

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