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耦合强度可调的量子比特结构.pdfVIP

耦合强度可调的量子比特结构.pdf

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    提供一种耦合强度可调的量子比特结构，其包括：第一量子比特、第二量子比特以及位于所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的可调耦合器；所述第一量子比特和所述第二量子比特分别电容耦合至所述可调耦合器，所述可调耦合器控制所述第一量子比特和所述第二量子比特之间的耦合系数；以及其中，所述第一量子比特和所述第二量子比特是transmon的形式，所述可调耦合器是xmon的形式。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113705820 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110930931.1 (22)申请日 2021.08.13 (71)申请人 中国科学院物理研究所

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