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本发明提供了一种图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过在侧墙刻蚀工艺(形成第一侧墙结构和第二侧墙结构)之前在半导体衬底上形成图案化的光阻层，使其覆盖在光电二极管区对应的半导体衬底的表面上，之后，再进行后续刻蚀工艺，以防止在刻蚀工艺中光电二极管区对应的半导体衬底完全暴露在等离子体环境中，避免了对光电二极管区对应的半导体衬底表面造成损伤，进而避免了表面损伤造成的暗电流，同时又保证了像素器件区和逻辑器件区的功能正常，并最终提升了图像传感器的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725244 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111005082.5
(22)申请日 2021.08.30
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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