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用于氧化硅薄膜的高温原子层沉积的有机氨基二硅氮烷.pdfVIP

用于氧化硅薄膜的高温原子层沉积的有机氨基二硅氮烷.pdf

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    使用至少一种具有以下式I的有机氨基二硅氮烷前体在高于500℃的温度下进行用于形成氧化硅的原子层沉积(ALD)工艺：其中R1和R2各自独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C6至C10芳基，条件是R1和R2不能都是氢；R3选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C6至C10芳基；和R1和R2连接形成环状环结构或R1和R2不连接形成环状环结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113748226 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202080030622.2 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所

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