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2023-07-02 发布于四川
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根据本公开的方法包括：接收工件，该工件包括栅极结构、第一源极/漏极(S/D)部件、第二S/D部件、位于栅极结构、第一S/D部件和第二S/D部件上方的第一介电层、位于第一S/D部件上方的第一S/D接触件、位于第二S/D部件上方的第二S/D接触件、位于第一介电层上方的第一蚀刻停止层(ESL)和位于第一ESL上方的第二介电层；形成穿过第二介电层和第一ESL的S/D接触通孔以耦合至第一S/D接触件；形成穿过第二介电层、第一ESL和第一介电层的栅极接触开口以暴露栅极结构；以及形成与栅极接触开口相邻的公共轨

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745153 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110280424.8 H01L 21/8234 (2006.01)

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