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本公开涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。栅极电极经由第一绝缘膜而形成在n型源极区域和n型漏极区域之间的半导体衬底上。第一绝缘膜具有在平面视图中彼此相邻的第二绝缘膜和第三绝缘膜,并且在栅极电极的栅极长度方向上,第二绝缘膜位于n型源极区域侧,而第三绝缘膜位于n型漏极区域侧。第二绝缘膜比第三绝缘膜更薄。第三绝缘膜由层叠膜制成,层叠膜具有在半导体衬底上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜以及在第二绝缘膜上的第三绝缘膜,并且这三个绝缘膜的每个带隙大于第二绝缘膜的带隙。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745323 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202110564286.6
(22)申请日 2021.05.24
(30)优先权数据
2020-0942
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