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2023-07-02 发布于四川
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一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法.pdf

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本申请提出一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法。该生长反应模块及拿取部件，生长反应模块包括：主体部，主体部内配置有反应腔，主体部的一侧具有开口部，开口部配置有喷淋组件，喷淋组件的进气侧通过匹配对应的管道连接至气体供给系统，反应腔内配置有旋转装置，转装置上放置托盘，所述托盘下配置有衬底加热器，所述喷淋组件的出气侧对着托盘，沿主体部的轴向配置有侧壁加热器，所述主体部的侧壁配置有进料口，所述拿取部件的机械手通过进料口以托盘装盘或取托盘，所述主体部的侧壁配置有抽气口，所述抽气口通过抽气管连接真空

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113718331 B (45)授权公告日 2022.02.08 (21)申请号 202111287621.9 C30B 25/12 (2006.01)

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