一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制造方法.pdf

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本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明中的一种逆导型MOS栅控晶闸管，主要是通过缩短常规RC‑MCT器件的FS层宽度，增大P型阳极区上方的电阻，从而减小器件正向导通过程中的回跳电压，改善器件正向导通过程中的snapback效应；本发明中的一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，能够与现有MOS栅控晶闸管工艺相兼容。本发明的有益效果为：在不牺牲器件正向阻断能力的基础上，改善了器件正向导通过程中的snapback效应，提升了器件在正向导通过程中的稳定

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725295 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111020893.2 (22)申请日 2021.09.01 (71)申请人电子

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