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扩散新工艺实验推广报告第1页/共8页第2页/共8页扩散工艺优化实验实验背景： 优化工艺，提升效率。Recipe更改：stepmessage工艺设定时间/minGasFlowN2（slm）LN2（slm）LO2（slm）0STADNBY05.0 001BOAT IN72.0 002BOAT OUT52.0 003TESTING0.56.5 004HEAT UP412.0 005PREPURGE212.0 01.06DEPOSITION1712.0 1.0（0.95）0.357POSTPURGE512.0 0.050.58DRIVE IN612.0 0.054.25（4.5）9DEPOSITION212.0 1.0（0.95）0.3510DRIVE IN68.0 0.054.5（3.5）11COOLDOWN312.0 0012BOAT IN54.0 0013BOAT OUT74.0 00调整思路：降低总磷源流量，降低表面浓度，并且配合利用氧气增强扩散思路，提高开压和电流。第3页/共8页扩散工艺优化实验1.1 小试实验结果方案电性能结果效率提升(%)数量(pcs) Voc(mV) Isc(A) Rs(mΩ) Rsh(Ω) FF(%) Eta(%) 方阻Ω/□STD(%)1467634.8 8.786 2.82 356 78.72 18.05 993.6603 8.786 2.83 361 78.72 18.03 983.062454635.3 8.818 2.76 623 78.55 18.08 1003.8105 8.812 2.65 567 78.71 18.08 922.373476636.5 8.784 2.80 573 78.66 18.07 982.5106 8.773 2.78 634 78.68 18.03 933.254466634.0 8.753 2.83 758 78.62 17.93 1024.1606 8.750 2.84 673 78.59 17.90 1012.74?采用新工艺姊妹片验证，开压，电流有提升，效率较产线有0.022%的提升。第4页/共8页扩散工艺优化实验1.1扩散工艺中试实验结果扩散std变化趋势分类工艺切之前工艺切之后std3.363.48方阻95ohm/sq97ohm/sq扩散返工情况实验0.24%1.2大线数据正常产线0.27%同期3.4.5线?新工艺推广后，std和和产线差异不大（增加0.12%），方阻平均值为97ohm/sq，返工和产线差异不大。备注：5.13号晚班开始在一二大线推广。第5页/共8页扩散工艺优化实验1.2 刻蚀后方阻上升情况分类方阻平均实验组刻蚀前98.297.5105.2103.497.794.8100.4刻蚀后103.6103.9107.9105.4101.596.3104.46差异5.46.42.723.81.54.06baseline刻蚀前100.299.38102.596.695.992.798.916刻蚀后103.8102.5105.9102.6101.197.7103.18差异3.63.123.465.254.26?刻蚀后方阻上升和产线工艺差异不大。第6页/共8页扩散工艺优化实验分类TotalVoc(mV)Isc(A)Rs(mΩ)Rsh(Ω)FF(%)Eta(%)Irev2(A)Rs3比例漏电比3Rs4比例低效比17.0%备注时间切线之前(1.2线)571165635.60 8.789 2.78 452 78.63 18.05 0.15 8.10%0.24%0.06%0.39%5.9-5.13切线之后（1.2线）410993636.95 8.794 2.73 389 78.67 18.08 0.16 5.71%0.24%0.08%0.32%5.13-5.16切线后同期（3.5线）434159636.00 8.792 2.71 333 78.63 18.07 0.17 3.14%0.21%0.03%0.26%5.13-5.16?推广后，效率较产线同期提升0.01%。下一步计划：新工艺对产线STD，刻蚀方阻上升及RS影响不大，建议全线推广，方阻管控91-103ohm/sq，平均值管控在97ohm/sq。第7页/共8页第8页/共8页谢谢观看！