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一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；在所述基底上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，且所述伪栅极结构侧壁表面具有第二保护层；对所述第二保护层进行改性处理，使所述第二保护层形成第二改性层；进行清洗工艺。通过选择合适的改性处理，使在所述清洗过程中，对所述第二改性层的刻蚀速率在预设范围之内，即，所述清洗工艺对第二改性层的刻蚀速率较小，从而所述伪栅极结构侧壁厚度减小的尺寸程度较小，使鳍部和伪栅极结构交界的角落区域的夹角变化较小，提高了形成的半导体结构的电学性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745108 A
(43)申请公布日
2021.12.03
(21)申请号 20201
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