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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅介质层、栅极层；去除部分所述栅极层、栅介质层及半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽中形成绝缘层，所述绝缘层的顶面低于所述半导体衬底的顶面；向所述半导体衬底的侧壁注入离子，形成源极和漏极。采用本申请的形成方法可以节省光罩成本，减少工艺步骤，避免半导体结构水平方向上无效面积的增加，在同等性能的情况下，可以大幅度缩小器件尺寸。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745110 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 20201

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