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2023-07-02 发布于四川
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公开了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，垂直结构LED芯片包括：第一衬底；位于第一衬底的第一表面上且由下至上依次堆叠的键合层、反射镜层、第一欧姆接触层以及外延层，外延层包括位于第一欧姆接触层表面上且由下至上依次堆叠的第二半导体层、发光层、第一半导体层和本征半导体层；多个贯穿本征半导体层并露出第一半导体层表面的通孔；以及位于本征半导体层表面和通孔的侧壁底部的透明导电层和金属纳米线层。本申请通过在本征半导体层表面和多个通孔侧壁和底部设置电阻率低于本征半导体层的透明导电层和金属纳米线层，提升了电流注

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745385 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110854167.4 H01L 33/46 (2010.01) (22)申请日 2

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