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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成待刻蚀层在待刻蚀层上形成多个沿第一方向延伸的核心层；在核心层的侧壁上形成第一侧墙；在待刻蚀层上形成多个沿第一方向延伸的牺牲层，覆盖第一侧墙沿第一方向的部分侧壁，牺牲层与核心层沿第二方向间隔排列，第二方向垂直于第一方向，所述牺牲层与核心层之间由第一侧墙相隔离；在核心层和牺牲层露出的待刻蚀层上形成掩膜层，掩膜层包括填充层；去除核心层以形成第一凹槽，去除牺牲层以形成第二凹槽；以掩膜层为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽下方的待刻蚀层形成目标图形
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745151 A
(43)申请公布日
2021.12.03
(21)申请号 20201
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