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2023-07-02 发布于四川
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一种准垂直结构射频器件及制作方法.pdf

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本发明涉及一种准垂直结构射频器件及制作方法，该器件包括基区、基极、发射区、第一钝化层、第二钝化层和发射极，其中，发射区和第一钝化层形成第二台阶；第二钝化层覆盖第一钝化层的部分表面以形成靠近第一台阶的第一台面，位于第二台阶上的第二钝化层的表面形成发射极台面；基极的底部贯穿第二钝化层且位于基区上，基极的侧面与第二台阶侧面的第二钝化层接触，基极的顶部位于第一台面上且位于发射极台面上。该器件中基极搭上发射极台面，最大限度缩小了基极与发射极台面间横向距离，降低了基极串联总电阻，实现了晶体管工作性能的提升。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745324 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110866200.5 H01L 21/335 (2006.01)

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