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2023-07-02 发布于四川
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提升电源抑制比的电源稳压芯片.pdf

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本发明涉及一种LDO电路，尤其是一种提升电源抑制比的电源稳压芯片。按照本发明提供的技术方案，所述提升电源抑制比的电源稳压芯片，包括LDO电路本体，还包括与所述LDO电路本体适配连接的电源抑制比增强电路，所述电源抑制比增强电路的电源端与电源电压VDD连接，电源抑制比增强电路能产生并输出对电源电压VDD有抑制作用的内部电压VPP，所述电源抑制比增强电路所产生的内部电压VPP能提供LDO电路本体所需的工作电压。本发明能提升LDO电路的电源抑制比，确保LDO电路性能的稳定性与可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113721689 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111052944.X (22)申请日 2021.09.08 (71)申请人无锡力芯微电子股份有限公司

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