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2023-07-02 发布于四川
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本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法，该激光器包括：激光器外延结构，激光器外延结构包括衬底以及依次位于衬底一侧的光栅结构和脊形结构；衬底包括沿第一方向依次设置的多个台阶结构；光栅结构包括台阶结构和设置于相邻两个台阶结构之间的第一子外延结构，台阶结构和第一子外延结构的折射率不同；脊形结构至少包括叠层设置的上光场限制层、上接触层和第一电极层，第一电极层位于上接触层远离衬底的一侧；位于衬底远离光栅结构一侧的第二电极层。本发明实施例提供的半导体激光器及其制备方法，具有光栅损耗低、耦合效率高、串

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745967 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110992957.9 (22)申请日 2021.08.27 (71)申请人因林光电科技（苏州）有限公司

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