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碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制造方法.pdfVIP

碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制造方法.pdf

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    碳化硅半导体器件具有碳化硅衬底、第一绝缘体、第一电极和第二电极。碳化硅衬底包含第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区、第一超结部、第四杂质区、第五杂质区、第六杂质区和第二超结部。第一超结部具有第一区和第二区。第二超结部具有第三区和第四区。在相对于第二主面垂直的方向上，第一沟槽的底面位于第二端面与第二主面之间，并且位于第四端面与第二主面之间。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113748491 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202080031861.X (74)专利代理机构 中原信达知识产权代理有限

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