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基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法.pdfVIP

基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法.pdf

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    本发明涉及纳米材料制备技术领域，公开了基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法，包括步骤通入气态碳源，对气态碳源加载直流脉冲形成激发电场，激发电场中的游离电子会被加速，导致电子雪崩形成碳等离子活性基团；所述碳等离子活性基团会与硅蒸汽反应生成碳化硅团簇，所述碳化硅团簇会在所述形核点上自组装成碳化硅纳米管。本方法具有工艺设备简单、产物纯度高、可控性强等优点。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113716567 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111157245.1 (22)申请日 2021.09.30 (71)申请人 中国航发北京航空材料研究院

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