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2023-07-02 发布于四川
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发光元件及发光元件的制造方法.pdf

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本发明提供具有多量子阱结构、且以高发光输出功率发出紫外光的发光元件及该发光元件的制造方法。所述发光元件具有：n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上且具备由氮化物半导体形成的多个阱层和由氮化物半导体形成的多个势垒层的发出紫外光的活性层、设置在活性层上的p侧氮化物半导体层，其中，所述多个势垒层中至少1个势垒层从n侧氮化物半导体层侧起依次具有第1势垒层和第2势垒层，所述第1势垒层包含Al及Ga，所述第2势垒层与所述第1势垒层相接设置，包含Al、Ga及In，且带隙能量比第1势垒层小，所述多个阱层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745377 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110576203.5 (22)申请日 2021.05.26 (30)优先权数据

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