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2023-07-02 发布于四川
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加热结构和半导体工艺设备.pdf

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本发明提供一种用于半导体工艺设备的加热结构，加热结构设置于介质窗和射频线圈之间，加热结构包括加热层，加热层设置于介质窗上；加热层包括加热丝，加热丝围绕介质窗中心呈辐射状盘绕，加热丝包括多个沿介质窗的径向延伸的辐条段，且每条辐条段的两端分别与两侧相邻两条辐条段中的一条的临近端连接。在本发明中，加热丝径向绕制形成的加热层设置在介质窗与射频线圈之间，从而在避免产生涡旋电流的同时，实现对介质窗的表面进行均匀加热，提高了工艺腔室中温度场的均匀性；并且，加热层还能减小上电极电感耦合放电中寄生的容性耦合电场，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113727478 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111019882.2 (22)申请日 2021.09.01 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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