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半导体结构及半导体结构的形成方法.pdfVIP

半导体结构及半导体结构的形成方法.pdf

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    一种半导体结构和半导体结构的形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一电极材料层；在所述第一电极材料层表面形成若干相互分立的磁隧道结，并且在每个所述磁隧道结顶面形成第二电极层；在所述磁隧道结以及所述第二电极层侧壁面形成侧墙；在形成所述侧墙后，去除所述衬底表面暴露的第一电极材料层，以形成第一电极层。从而，提高了半导体结构的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745401 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 20201

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