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本发明属于功率半导体技术，特别涉及一种具有隔离结构的氮化镓集成电路，相对于传统的凹槽隔离，本发明在凹槽隔离结构内填充有p型半导体材料，填充的p型半导体材料与缓冲层形成耗尽区，实现对氮化镓集成电路模块的电学隔离；同时通过改变凹槽结构和填充物的形状、大小以及填充材料的掺杂浓度，可以与缓冲层形成不同大小和形状的耗尽区域,达到理想的隔离效应。本发明的效应效果：通过对缓冲层的耗尽可以达到良好的隔离效果；制备简单，实用性强，不引入额外的电流源或电压源。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725215 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111032078.8
(22)申请日 2021.09.03
(71)申请人 电子
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