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2023-07-02 发布于四川
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一种MEMS器件制造方法及MEMS器件.pdf

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本发明涉及一种MEMS器件制造方法及MEMS器件，选用SOI绝缘体硅片作为衬底，通过SOI顶层硅与作为结构层的硅晶圆进行硅‑硅键合，使整个制造工艺可以兼容VHF工艺；在形成疏水有机膜之前，先在需要去除疏水有机膜的区域淀积一层牺牲层二氧化硅，在形成疏水有机膜后，可以借助VHF工艺将键合区和电极区上的二氧化硅牺牲层刻蚀掉，去除二氧化硅的同时也一并将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，而其他区域需要保留的疏水有机膜则不会受到影响。本发明所公开的制造方法工艺简单、可实施性强、能够同时将键合区和电极区上

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113735055 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110822242.9 (22)申请日 2021.07.21 (71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公

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