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本发明属于传感器封装技术领域,具体是一种半导体气体传感器,包括管座,所述管座的内部均匀阵列插接有多组接线柱,所述接线柱的顶部开设有插接槽,所述管座的内部底部均匀阵列设有多组出气孔,所述管座的顶部设有衬底座,所述衬底座的顶部设有气敏单元,所述管座的顶部套接有保护帽;所述气敏单元包括衬底片,所述衬底片的一侧设有气敏电极,所述气敏电极的另一侧设有气敏材料,所述衬底片的另一侧设有加热电极。该装置不仅可以为气敏材料提供很好的温度环境,同时还能起到减震缓冲,保护内部结构,流到气敏材料的气体流速也可以得到控制
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113720885 B
(45)授权公告日 2022.02.18
(21)申请号 202110991731.7 B81C 1/00 (2006.01)
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