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2023-07-02 发布于四川
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一种基于波导光栅结构的非易失性十进制光电存储器.pdf

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一种基于波导光栅结构的非易失性十进制光电存储器，属于信息技术领域。存储器包括层底、光波导、导电极材料和相变材料薄膜。相变材料薄膜呈阵列光栅式结构沉积在波导上，通过电信号可以改变相变材料薄膜的状态，编程调控晶态和非晶态的个数，就可以将数据写入/擦除在光栅阵列中。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。于是，利用光信号的透过率不同就可以读出写入的数据。本发明相变材料的非易失性超快相变特性，并结合电驱动的普适性和光读取的超快性，实现存储器的低损耗和大容量，同时，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113724756 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202110997579.3 (22)申请日 2021.08.27 (71)申请人北京工业大学地址

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