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一种薄膜晶体管,包括:栅极、栅绝缘层、有源层、离子化非晶硅层、源极和漏极;所述栅绝缘层覆盖于所述栅极上;所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述栅极一侧;所述离子化非晶硅层设置于所述有源层远离所述栅极一侧,所述离子化非晶硅层与所述栅绝缘层接触;所述源极和所述漏极设置于所述离子化非晶硅层远离所述栅绝缘层一侧,所述源极和所述漏极通过所述离子化非晶硅层与所述有源层耦接。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113748521 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202080000424.1 (51)Int.Cl.
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