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2023-07-02 发布于四川
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本申请涉及晶体管领域，公开了一种无结型自耗尽晶体管及其制备方法，其中，所述器件包括衬底、外延层、与外延层掺杂类型相同的第一多晶硅层、与外延层掺杂类型相反的第二多晶硅层、源极层、第一金属层、第二金属层和绝缘材料；所述器件的制备方法包括：在衬底的第一表面上形成外延层，在外延层的沟槽内形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，在外延层上形成源极层，在第一衬底的第二表面上形成第一金属层，在第二多晶硅层和源极层上形成第二金属层。申请的器件的第一多晶硅层可以通过电荷平衡实现耐压，第二多晶硅层可以通过自耗尽形成耐压，无

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113725299 B (45)授权公告日 2022.04.19 (21)申请号 202111006465.4 H01L 23/48 (2006.01)

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