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2023-07-02 发布于四川
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一种超薄晶圆正面切割工艺.pdf

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本发明公开一种超薄晶圆正面切割工艺，包括以下步骤：S1、先完成晶圆高温制程，再将晶圆正面与玻璃载板键合，然后做背面晶圆制程；S2、将晶圆背面与玻璃载板键合，然后将正面玻璃载板解键合，除去粘着层；S3、完成正面晶圆制程；S4、通过电浆蚀刻晶圆正面，利用金属和Si的蚀刻速率不同，蚀刻除去切割道处的Si直至背面金属处；S5、于晶圆正面进行激光切割，完成超薄晶圆的切割。本发明利用电浆对Si片和金属的蚀刻速率不同，在晶圆正面蚀刻切割道至裸露出背面金属，再通过激光切割将背面金属切断，从而完成超薄金属的切割，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725160 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111021765.X (22)申请日 2021.09.01 (71)申请人浙江

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